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更新日志
CN112753105B 半导体器件结构及其制造方法
申请日：2020.12.14
IPC分类号：H01L29/423
公开日：20230526
申请人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
发明人：张安邦;黃敬源
半导体器件结构及其制造方法
本揭露提供了半导体器件结构及其制造方法。所述半导体器件结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极结构、第一间隔物、第二间隔物和漏电极。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上。所述栅极结构安置在所述第二氮化物半导体层上。所述第一间隔物安置于邻近所述栅极结构的第一表面处。所述第二间隔物安置于邻近所述栅极结构的第二表面安置处。与所述第一间隔物相比，所述漏电极相对邻近于所述第二间隔物安置。所述第一间隔物具有第一长度，且所述第二间隔物具有大于沿着所述第一方向的所述第一长度的第二长度。
申请号：CN202080005344.5
公开（公告）号：CN112753105B
申请日：2020.12.14
公开（公告）日：20230526
优先权：20201214 CN PCT/CN2020/136048
同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)
同族引用文献：9
同族施引专利：2
申请人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
申请人地址：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
权利人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
权利人地址：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
发明人：张安邦;黃敬源
代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人：林祥
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1.一种半导体器件结构，其包括：
衬底；
第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；
第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；
栅极结构，其安置在所述第二氮化物半导体层上，其中所述栅极结构具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一间隔物，其安置于邻近所述栅极结构的所述第一表面处；
第二间隔物，其安置于邻近所述栅极结构的所述第二表面处；
漏电极，所述第二间隔物比所述第一间隔物更靠近所述漏电极，
其中所述第一间隔物具有沿着平行于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的界面的第一方向的第一长度，且所述第二间隔物具有大于沿着所述第一方向的所述第一长度的第二长度；以及
第三氮化物半导体层，其安置在所述第二氮化物半导体层与所述栅极结构之间，其中所述第三氮化物半导体层具有上表面，且具有比所述第二氮化物半导体层的带隙小的带隙，
其中，
所述第一间隔物与所述第三氮化物半导体层的第一部分的所述上表面直接接触且终止于所述上表面，并于其间形成第一接触长度，
所述第二间隔物与所述第三氮化物半导体层的第二部分的所述上表面直接接触且终止于所述上表面，并于其间形成不同于所述第一接触长度的第二接触长度。
10.一种半导体器件结构，其包括：
衬底；
第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；
第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；
栅极结构，其安置在所述第二氮化物半导体层上，其中所述栅极结构具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一间隔物，其邻近于所述栅极结构的所述第一表面安置且包括第一掺杂剂，其中所述第一间隔物具有第一部分和在所述第一部分上的第二部分，且所述第一掺杂剂在上部部分中的浓度大于下部部分中的浓度；
第二间隔物，其安置在所述栅极结构的所述第二表面上且包括所述第一掺杂剂；以及
第三氮化物半导体层，其安置在所述第二氮化物半导体层与所述栅极结构之间，其中所述第三氮化物半导体层具有上表面，且具有比所述第二氮化物半导体层的带隙小的带隙，
其中，
所述第一间隔物与所述第三氮化物半导体层的第一部分的所述上表面直接接触且终止于所述上表面，并于其间形成第一接触长度，
所述第二间隔物与所述第三氮化物半导体层的第二部分的所述上表面直接接触且终止于所述上表面，并于其间形成不同于所述第一接触长度的第二接触长度。
17.一种制造半导体器件结构的方法，其包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一氮化物半导体层；
在所述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层，其中所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；
在所述第二氮化物半导体层上形成第三氮化物半导体层，其中所述第三氮化物半导体层具有上表面；
在所述第三氮化物半导体层上形成栅极结构，其中所述栅极结构具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
在所述栅极结构的所述第一表面上形成第一间隔物；以及
在所述栅极结构的所述第二表面上形成第二间隔物，其中所述第一间隔物具有沿着平行于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的界面的第一方向的第一长度，且所述第二间隔物具有大于沿着所述第一方向的所述第一长度的第二长度，
其中，所述第一间隔物与所述第三氮化物半导体层的第一部分的所述上表面直接接触且终止于所述上表面，并于其间形成第一接触长度，
所述第二间隔物与所述第三氮化物半导体层的第二部分的所述上表面直接接触且终止于所述上表面，并于其间形成不同于所述第一接触长度的第二接触长度。