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更新日志
CN112771678B 半导体器件及其制造方法
申请日：2020.12.25
IPC分类号：H01L29/778
公开日：20230502
申请人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健
半导体器件及其制造方法
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：衬底；第一氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其设置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。所述半导体器件进一步包含第一栅极导体，其设置在所述第二氮化物半导体层的第一区上；钝化层，其覆盖所述第一栅极导体；以及第二栅极导体，其设置在所述钝化层和所述第二氮化物半导体层的第二区上，其中所述第一区与所述第二区横向间隔开。
申请号：CN202080005364.2
公开（公告）号：CN112771678B
申请日：2020.12.25
公开（公告）日：20230502
优先权：20201225 CN PCT/CN2020/139485
同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)
同族引用文献：8
同族施引专利：3
申请人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
申请人地址：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
权利人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
权利人地址：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健
代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人：林祥
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1.一种半导体器件，其包括：
衬底；
第一氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；
第二氮化物半导体层，其设置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；
第一栅极导体，其设置在所述第二氮化物半导体层的第一区上；
钝化层，其覆盖所述第一栅极导体；
第二栅极导体，其设置在所述钝化层和所述第二氮化物半导体层的第二区上，其中所述第一区与所述第二区横向间隔开；以及
隔离器，设置在第二氮化物半导体层内，以使第一区通过所述隔离器与所述第二区隔离。
9.一种半导体器件，其包括：
衬底；
第一氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；
第二氮化物半导体层，其设置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；以及
第一晶体管，其包括第一栅极导体、第一漏极电极和第一源极电极；
第二晶体管，其包括第二栅极导体、第二漏极电极和第二源极电极；以及
钝化层，其中所述第一栅极导体和所述第二栅极导体设置在所述钝化层的相对侧。
17.一种用于制造半导体器件的方法，其包括：
形成具有衬底、沟道层和阻挡层的半导体结构；
在所述阻挡层的第一区上形成第一栅极导体；
形成覆盖所述第一栅极导体的第一电介质层；
在所述阻挡层内形成隔离器，以将所述阻挡层的所述第一区与其第二区通过所述隔离器隔离；以及
在所述第一电介质层上并且在所述阻挡层的与所述第一区横向间隔开的所述第二区上形成第二栅极导体。