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CN114144891B 氮基半导体器件及其制造方法

有效

授权

申请日：2021.07.16

IPC分类号：H01L29/778

公开日：20230526

申请人：英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人：游政昇;杜卫星

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发明名称

氮基半导体器件及其制造方法

摘要

一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极和漏极电极、栅极结构、钝化层和场板。钝化层设置在第二氮基半导体层之上并覆盖栅极结构，并且在栅极结构和漏极电极之间具有封闭的气隙。场板设置在钝化层上方，并且具有位于栅极结构正上方的第一部分和位于气隙正上方的第二部分。第二部分通过钝化层的至少一个电介质与气隙分离。

著录项目

申请号：CN202180004530.1

公开（公告）号：CN114144891B

申请日：2021.07.16

公开（公告）日：20230526

优先权：20210716 CN PCT/CN2021/106915

同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)

同族引用文献：9

同族施引专利：5

相关人

申请人：英诺赛科(苏州)科技有限公司

申请人地址：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号

权利人：英诺赛科(苏州)科技有限公司

权利人地址：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号

发明人：游政昇;杜卫星

代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司

代理人：林祥

权利要求

1.一种氮基半导体器件，其特征在于，包括：第一氮基半导体层；第二氮基半导体层，设置在所述第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙；源极电极和漏极电极，设置在所述第二氮基半导体层之上；栅极结构，设置在所述第二氮基半导体层之上且在所述源极电极和所述漏极电极之间；钝化层，设置在所述第二氮基半导体层之上，覆盖所述栅极结构，并且在所述栅极结构和所述漏极电极之间具有封闭的气隙；以及场板，设置在所述钝化层之上，并且具有第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述栅极结构正上方，所述第二部分位于所述气隙正上方，其中所述第二部分通过所述钝化层的至少一个电介质与所述气隙分离；其中所述钝化层具有内侧壁以界定所述气隙，并且靠近所述漏极电极的内侧壁与所述漏极电极之间的水平距离小于所述场板与所述漏极电极之间的水平距离。 15.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一氮基半导体层；在所述第一氮基半导体层上形成第二氮基半导体层；在所述第二氮基半导体层之上形成栅极结构；在所述第二氮基半导体层之上形成第一钝化层以覆盖所述栅极结构；在所述第一钝化层上形成氧化物条带；在所述第一钝化层上方形成第二钝化层以覆盖所述氧化物条带，其中所述第一钝化层与所述第二钝化层合并形成钝化层；移除所述氧化物条带以在所述第一和第二钝化层之间形成隧道；以及在所述第二钝化层之上形成场板，并且所述场板垂直重叠于所述隧道，所述隧道形成为填有气隙；其中所述钝化层具有内侧壁以界定所述气隙，并且靠近漏极电极的内侧壁与漏极电极之间的水平距离小于所述场板与所述漏极电极之间的水平距离。 19.一种氮基半导体器件，其特征在于，包括：第一氮基半导体层；第二氮基半导体层，设置在所述第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙；源极电极和漏极电极，设置在所述第二氮基半导体层之上；栅极结构，设置在所述第二氮基半导体层之上，且在所述源极电极和所述漏极电极之间；以及钝化层，设置在所述第二氮基半导体层之上，覆盖所述栅极结构，并且在所述栅极结构和所述漏极电极之间具有封闭隧道，其中所述隧道横向地延伸至第一位置，所述第一位置与所述漏极电极间隔出第一垂直距离，其中所述隧道填有气隙；以及场板，设置在所述钝化层之上，具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅极结构正上方，所述第二部分位于所述气隙正上方，其中所述第二部分横向地延伸至第二位置，所述第二位置与所述漏极电极间隔出第二垂直距离，所述第一垂直距离小于所述第二垂直距离。

法律信息概述

有效

授权

2041.07.16

失效

2023.05.26

授权

2022.03.04

申请局首次公开

2021.07.16

授权