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更新日志
CN116057710A 半导体结构及其制作方法
申请日：2020.09.22
IPC分类号：H01L29/06
公开日：20230502
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
发明人：程凯
半导体结构及其制作方法
一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底(10)，基底内具有多条并排设置的条状沟槽(101)；以及位于条状沟槽的底壁、侧壁以及条状沟槽外的基底上的异质结结构(11)，位于底壁与条状沟槽外的基底上的异质结结构为极化区，位于侧壁的异质结结构为非极化区，极化区内具有载流子；异质结结构包括分别位于每条条状沟槽两端的源极区域(11a)与漏极区域(11b)，以及位于源极区域与所述漏极区域之间的栅极区域(11c)，源极区域与漏极区域之间的载流子被限定在各条极化区内流动。
申请号：CN202080103322.2
公开（公告）号：CN116057710A
申请日：2020.09.22
公开（公告）日：20230502
优先权：20200922 CN PCT/CN2020/116861
同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)$中国台湾
同族引用文献：6
同族施引专利：0
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
权利人：苏州晶湛半导体有限公司
权利人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
发明人：程凯
代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人：林祥
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一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底(10)，所述基底(10)内具有多条并排设置的条状沟槽(101)；
以及位于所述条状沟槽(101)的底壁、侧壁以及所述条状沟槽(101)外的所述基底(10)上的异质结结构(11)，位于所述底壁与所述条状沟槽(101)外的所述基底(10)上的所述异质结结构(11)为极化区，位于所述侧壁的所述异质结结构(11)为非极化区，所述极化区内具有载流子；所述异质结结构(11)包括分别位于每条所述条状沟槽(101)两端的源极区域(11a)与漏极区域(11b)，以及位于所述源极区域(11a)与所述漏极区域(11b)之间的栅极区域(11c)，所述源极区域(11a)与所述漏极区域(11b)之间的所述载流子被限定在各条所述极化区内流动。
一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底(10)，在所述基底(10)内形成多条并排设置的条状沟槽(101)；
在所述条状沟槽(101)的底壁、侧壁以及所述条状沟槽(101)外的所述基底(10)上形成异质结结构(11)，位于所述底壁与所述条状沟槽(101)外的所述基底(10)上的所述异质结结构(11)为极化区，位于所述侧壁的所述异质结结构(11)为非极化区，所述极化区内具有载流子；所述异质结结构(11)包括分别位于每条所述条状沟槽(101)两端的源极区域(11a)与漏极区域(11b)，以及位于所述源极区域(11a)与所述漏极区域(11b)之间的栅极区域(11c)，所述源极区域(11a)与所述漏极区域(11b)之间的所述载流子被限定在各条所述极化区内流动。