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更新日志
CN116096939A 一种晶片承载盘
申请日：2020.09.07
IPC分类号：C23C16/458
公开日：20230509
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
发明人：程凯;张丽旸
一种晶片承载盘
一种晶片承载盘(10)，晶片承载盘(10)的凹槽底部以经过凹槽中心(O)的第一分界线(L1)将凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘中心(C)的第一区域(S1)和远离晶片承载盘中心(C)的第二区域(S2)，凹槽底部包括凹槽底面以及形成在凹槽底面上的凸出结构(210)，凸出结构(210)的表面为曲面，曲面顶点(H)位于凹槽底部的所述第二区域(S2)，位于第二区域(S2)的凸出结构的平均高度高于位于第一区域的所述凸出结构的平均高度。晶片承载盘(10)凹槽底部的设计结构能较好匹配III‑V族氮化物晶片有源区外延过程中的翘曲，使温场分布更均匀，从而提升提高发光外延片的波长均匀性。
申请号：CN202080103959.1
公开（公告）号：CN116096939A
申请日：2020.09.07
公开（公告）日：20230509
优先权：20200907 CN PCT/CN2020/113763
同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)
同族引用文献：3
同族施引专利：0
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
权利人：苏州晶湛半导体有限公司
权利人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
发明人：程凯;张丽旸
代理机构：北京布瑞知识产权代理有限公司
代理人：秦卫中
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一种晶片承载盘，包括至少一个凹槽，其特征在于，所述凹槽包括：
凹槽底部，所述凹槽底部以经过所述凹槽中心的第一分界线将所述凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘中心的第一区域和远离所述晶片承载盘中心的第二区域，所述凹槽底部包括凹槽底面以及形成在所述凹槽底面上的凸出结构，所述凸出结构的边缘最接近所述晶片承载盘中心的点为第一边缘点，所述凸出结构的边缘最远离所述晶片承载盘中心的点为第二边缘点；
其中，位于所述第二区域的所述凸出结构的平均高度高于位于所述第一区域的所述凸出结构的平均高度。