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更新日志
CN116113730A 一种晶片承载盘
申请日：2020.09.07
IPC分类号：C30B25/12
公开日：20230512
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
发明人：程凯;张丽旸
一种晶片承载盘
本发明提供一种晶片承载盘，晶片承载盘的凹槽底部以经过凹槽中心的第一分界线将凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘中心的第一区域和远离晶片承载盘中心的第二区域，凹槽底部包括凹槽底面以及形成在凹槽底面上的凸出结构，凸出结构的表面为曲面，曲面顶点位于凹槽底部的所述第二区域，位于第二区域的凸出结构的平均高度高于位于第一区域的所述凸出结构的平均高度。晶片承载盘凹槽底部的设计结构能较好匹配III‑V族氮化物晶片有源区外延过程中的翘曲，使温场分布更均匀，从而提升提高发光外延片的波长均匀性。
申请号：CN202080103949.8
公开（公告）号：CN116113730A
申请日：2020.09.07
公开（公告）日：20230512
优先权：20200907 CN PCT/CN2020/113762
同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)
同族引用文献：5
同族施引专利：0
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
权利人：苏州晶湛半导体有限公司
权利人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
发明人：程凯;张丽旸
代理机构：北京布瑞知识产权代理有限公司
代理人：秦卫中
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一种晶片承载盘，包括至少一个凹槽，其特征在于，所述凹槽包括：
凹槽底部，所述凹槽底部以经过所述凹槽中心的第一分界线将所述凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘中心的第一区域和远离所述晶片承载盘中心的第二区域，所述凹槽底部包括：
凹槽底面；
凸出结构，形成在所述凹槽底面上，所述凸出结构的边缘位于所述凹槽底面，所述凸出结构的边缘与所述凹槽底面的边缘非重合，所述凹槽底部具有未被所述凸出结构覆盖的未覆盖区域；
其中，位于所述第二区域的所述凸出结构的平均高度高于位于所述第一区域的所述凸出结构的平均高度。