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CN116134590A 增强型半导体结构及其制作方法
申请日：2020.09.10
IPC分类号：H01L21/335
公开日：20230516
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
发明人：程凯
增强型半导体结构及其制作方法
本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：自下而上分布的半导体衬底、异质结结构、帽层、第一钝化层以及第二钝化层；贯穿第一钝化层与第二钝化层的凹槽；以及至少位于凹槽的内壁的P型半导体层。在干法刻蚀第二钝化层形成凹槽后，第一钝化层可用于刻蚀终点检测，避免过刻蚀。在第二钝化层凹槽处暴露出的第一钝化层，可通过湿法刻蚀去除。湿法刻蚀去除第一钝化层时，帽层具有极高的稳定性，所以湿法腐蚀去除第一钝化层后，不会损伤帽层。无损伤的帽层能有效降低异质结结构的表面缺陷，以降低电子被缺陷捕获的几率，实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。
申请号：CN202080103838.7
公开（公告）号：CN116134590A
申请日：2020.09.10
公开（公告）日：20230516
优先权：20200910 CN PCT/CN2020/114581
同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)
同族引用文献：4
同族施引专利：1
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
权利人：苏州晶湛半导体有限公司
权利人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
发明人：程凯
代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人：林祥
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一种增强型半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底(10)上依次形成异质结结构(11)、帽层(12)、第一钝化层(13)以及第二钝化层(14)；
形成贯穿所述第一钝化层(13)与所述第二钝化层(14)的凹槽(15)；所述第二钝化层(14)采用干法刻蚀法去除，所述第一钝化层(13)用于所述干法刻蚀时的刻蚀终止层；所述第一钝化层(13)采用湿法刻蚀法去除，所述帽层(12)用于所述湿法刻蚀时保护所述异质结结构(11)；
至少在所述凹槽(15)的内壁形成P型半导体层(17)。
一种增强型半导体结构，其特征在于，包括：
自下而上分布的半导体衬底(10)、异质结结构(11)、帽层(12)、第一钝化层(13)以及第二钝化层(14)；
贯穿所述第一钝化层(13)与所述第二钝化层(14)的凹槽(15)；
以及至少位于所述凹槽(15)的内壁的P型半导体层(17)。