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CN116171393A 一种基于电荷载流子雪崩的图像传感器

审中

实质审查

申请日：2020.11.30

IPC分类号：G01T1/36

公开日：20230526

申请人：苏州帧观传感科技有限公司

发明人：曹培炎;刘雨润

专利详情

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发明名称

一种基于电荷载流子雪崩的图像传感器

摘要

本文公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：多个雪崩光电二极管(APD)；其中，每个所述APD均包括辐射吸收层，所述辐射吸收层包括吸收区域和放大区域；其中，所述吸收区域被配置为由所述辐射吸收层所吸收的辐射粒子在该吸收区域中产生电荷载流子；其中，所述吸收区域包括夹在InP层之间的InGaAs层；其中，所述放大区域中具有电场，所述电场具有足以引起所述放大区域中的电荷载流子雪崩的场强。

著录项目

申请号：CN202080105128.8

公开（公告）号：CN116171393A

申请日：2020.11.30

公开（公告）日：20230526

优先权：20201130 CN PCT/CN2020/132599

同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)$中国台湾

同族引用文献：2

同族施引专利：0

相关人

申请人：苏州帧观传感科技有限公司

申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区19幢第4层超净室C3室

权利人：苏州帧观传感科技有限公司

权利人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区19幢第4层超净室C3室

发明人：曹培炎;刘雨润

代理机构：北京信慧永光知识产权代理有限责任公司

代理人：房岭梅$姚鹏

权利要求

1.一种图像传感器，包括：多个雪崩光电二极管(APD)；其中，每个所述APD均包括辐射吸收层，所述辐射吸收层包括吸收区域和放大区域；其中，所述吸收区域被配置为由所述辐射吸收层所吸收的辐射粒子在该吸收区域中产生电荷载流子；其中，所述吸收区域包括夹在InP层之间的InGaAs层；其中，所述放大区域中具有电场，所述电场具有足以引起所述放大区域中的电荷载流子雪崩的场强。

法律信息概述

审中

实质审查

2040.11.30

失效

1970.01.01

授权

2023.05.26

申请局首次公开

2020.11.30

授权