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CN116171495A 半导体结构的制作方法

有效

授权

申请日：2020.09.22

IPC分类号：H01L33/00

公开日：20230526

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

发明人：程凯

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发明名称

半导体结构的制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体结构的制作方法，利用对应于衬底的一个单元区的掩膜各开口孔占比大小不同，从而生长发光层时各开口内的反应气体的流速不同，发光层的生长速度不同，生长的发光层中各元素的掺入效率不同，进而使得生长的发光层中各元素的组分占比不同，LED的发光波长不同。上述工艺简单，能在一个衬底上制作可用于全彩LED的半导体结构，减小了全彩LED的尺寸。

著录项目

申请号：CN202080103966.1

公开（公告）号：CN116171495A

申请日：2020.09.22

公开（公告）日：20230526

优先权：20200922 CN PCT/CN2020/116789

同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)$中国台湾

同族引用文献：6

同族施引专利：0

相关人

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

权利人：苏州晶湛半导体有限公司

权利人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

发明人：程凯

代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司

代理人：林祥

权利要求

一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底(10)，所述衬底(10)的表面包括若干单元区(11)，每一所述单元区(11)包括n个子单元区(11a)，n为大于等于2的正整数；在所述衬底(10)上设置图形化的掩膜(12)，所述图形化的掩膜(12)对应每一个所述子单元区(11a)具有一个开口(12a)；每一所述单元区(11)对应的n个所述开口(12a)的孔占比中至少存在一个所述开口(12a)的孔占比与其他n-1个所述开口(12a)的孔占比不同，其中，所述开口(12a)的孔占比为所述开口(12a)的面积与所述开口(12a)所对应的所述子单元区(11a)对应在所述图形化的掩膜(12)上的面积之间的比值；在各个所述开口(12a)暴露的所述衬底(10)上依次形成第一类型的半导体层(13)、发光层(14)以及第二类型的半导体层(15)，所述第二类型的半导体层(15)与所述第一类型的半导体层(13)的导电类型相反。

法律信息概述

有效

授权

2040.09.22

失效

2025.05.30

授权

2023.05.26

申请局首次公开

2020.09.22

授权